MOS管功放電路
如圖所示電路是采用功率MOSFET管構(gòu)成的功率放大器電路。電路中差動第二級采用2SJ77***率MOSFET，電流鏡像電路采用2SK214。其工作電流為6mA，但電源電壓較高（為±50V），晶體管會發(fā)熱，因此要接人小型散熱器。
MOS管80W音頻功率放大電路
一款性能極佳的JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路圖
100W的MOSFET功率放大器電路圖
關(guān)于電路
電容C8是阻止直流電壓，如果從輸入源的輸入直流去耦電容。如果暢通，將改變這個(gè)直流電壓偏置值S后續(xù)階段。電阻R20限制輸入電流到Q1 C7-繞過任何輸入的高頻噪聲。晶體管Q1和Q2的形式輸入差分對和Q9和Q10來源1毫安左右建成的恒流源電路。MOS管功放電路。預(yù)設(shè)R1用于調(diào)整放大器的輸出電壓。電阻R3和R2設(shè)置放大器的增益。第二差的階段是由晶體管，第三季度和Q6，而晶體管Q4和Q5形式電流鏡，這使得第二個(gè)差分對漏一個(gè)相同的電流。這樣做是為了提高線性度和增益。Q7和Q8在AB類模式運(yùn)行的功率放大級的基礎(chǔ)上。預(yù)設(shè)R8可用于調(diào)整放大器的靜態(tài)電流。電容C3和電阻R19組成的網(wǎng)絡(luò)，提高了高頻率穩(wěn)定度和防止振蕩的機(jī)會。F1和F2是安全的保險(xiǎn)絲。
電路設(shè)置
設(shè)置在中點(diǎn)R1開機(jī)前，然后慢慢調(diào)整為了得到一個(gè)最低電壓（比50mV）輸出。下一步是成立的靜態(tài)電流，并保持在最低電阻預(yù)設(shè)的R8和萬用表連接跨標(biāo)記點(diǎn)電路圖X和Y的調(diào)整R8使萬用表讀取16.5mV對應(yīng)50mA的靜態(tài)電流。
注意事項(xiàng)
質(zhì)量好的印刷電路板組裝的電路。
使用一個(gè)45/-45V直流，3A的雙電源供電電路。
電源電壓不得超過55/-55V直流。
連接揚(yáng)聲器前，檢查零信號放大器的輸出電壓，在任何情況下不應(yīng)該大于50mV。如果是大于50mV，檢查電路中的任何錯(cuò)誤。MOS管功放電路。另一套更換Q1，Q2，也可以解決問題。Q7和Q8適合2°C/W的散熱片。Q7和Q8都必須被隔離，使用云母片。很容易在市場上幾乎所有的功率晶體管/幾乎所有封裝形式的MOSFET散熱器安裝包。
所有電阻R10，R11和R19的其他1/4瓦的金屬膜電阻。R10和R11是5W線繞型，而R19是一個(gè)3W線繞類型。
MOS管組成的25W音頻功率放大器電路圖
功放電路技術(shù)參數(shù)：
輸出功率：25V，8ohm負(fù)載。
靈敏度：200mV輸入25W輸出
頻率響應(yīng)：30Hz to 20KHz-1dB
THD@1KHz：0.1W0.014% 1W0.006% 10W0.006% 20W0.007% 25W0.01%
THD：0.1W 0.024%1W 0.016W 0.02W 0.045% 25W0.07%
音頻功放電路：
R1，R4=47K1/4W電阻
R2=4K71/4W電阻
R3=1K51/4W電阻
R5=390R1/4W電阻
R6=470R1/4W電阻
R7=33K1/4W 電阻
R8=150K1/4W電阻
R9=15K1/4W電阻
R10=27R1/4W電阻
R11=500R1/2W
R12，R13，R16=10R1/4W電阻
R14，R15=220R1/4W電阻
R17=8R22W電阻
R18=R224W電阻（wirewound）
C1=470nF63V薄膜電容器
C2=330pF63V薄膜電容器
C3，C5=470uF63V電解電容器
C4，C6，C8，C11=100nF 63V薄膜電容器s
C7=100uF 25V電解電容器
C9=10pF 63V薄膜電容器
C10=1uF 63V薄膜電容器
Q1-Q5=BC560C 45V100mA低噪聲高增益PNP三極管Q6=BD140 80V 1.5APNP三極管
Q7=BD139 80V1.5ANPN三極管
Q8=IRF532 100V12A N溝道MOS管
Q9=IRF9532 100V 10A P溝道MOS管
電源電路
Parts：
R1=3K3 1/2W電阻
C1=10nF 1000V薄膜電容器
C2，C3=4700？F50V電解電容器
C4，C5=100nF 63V薄膜電容器
D1 200V 8A整流橋，讀都也可以用四個(gè)整流二極管D2綠色發(fā)光二極管（電源指示燈）
F1，F(xiàn)2 3.15A保險(xiǎn)絲
電源變壓器次級輸出雙25V（中間抽頭）。
PL1插座
SW1開關(guān)
注意事項(xiàng)
Can be directly connected to CD players，tuners and tape recorders.
Simply add a 10K Log potentiometer
（dual gang for stereo）and a switch to cope with the various sources you need.
Q6&；Q7 must have a small U-shaped heatsink.
Q8&；Q9 must be mounted on heatsink.
Adjust R11 to set quiescent current at 100mA（best measured with an Avo-meter in
series with Q8 Drain）with no input signal.
A correct grounding is very important to eliminate hum and ground loops.Connect in
the same point the ground sides of R1，R4，R9，C3 to C8.
Connect C11 at output ground.Then connect separately the input and output grounds at
power supply ground.
可直接連接到CD播放機(jī)、調(diào)諧器和錄音機(jī)。簡單添加10K對數(shù)電位器（立體聲雙聯(lián)）和一個(gè)開關(guān)，以應(yīng)付您需要的各種來源。Q6和Q7必須有一個(gè)小U形散熱器。Q8和Q9必須安裝在散熱器上。調(diào)整R11，將靜態(tài)電流設(shè)置為100mA（最好使用與Q8漏極串聯(lián)的Avo表測量），無輸入信號。
正確接地對于消除嗡嗡聲和接地回路非常重要。在同一點(diǎn)上連接R1、R4、R9、C3到C8的接地側(cè)。
將C11連接到輸出接地。然后將輸入和輸出接地分別連接到電源接地。Q2作為恒流源，Q1作為甲類功放管。
100W的V-MOSFET功率放大器電路
下面是[100W的V-MOSFET功率放大器電路]的電路圖
材料清單：
R1=27Kohm
R2-11=4.7Kohm
R3-4=5.6Kohm
R5=47Kohm
R6=1Kohm
R7-10-21=22Kohm
R8=12ohm
R9=1Mohm
R12=33ohm
R13-20=82ohm
R14=33ohm
R15=2.7Kohm
R16=270ohm
R17-19=680ohm
R18=33Kohm
R22-23=0.33ohm5W
R24=8.2ohm
R25=10ohm1W
TR1=470ohm trimmer
TR2=4.7Kohm trimmer
C1=1uF 63V mkt
C2=1nF 100V*
C3=100uF 16V
C4=100nF 100V*
C5-7=22uF 16V
C6=4.7pF ceramic
C8=47uF 16V
C9=1nF 100V*
C10-11=100uF100V
C12-14=100nF 250V mkt
C13=150nF 100V mkt
C15=100uF 35V
D1=12V0.5W Zener
D2....5=8.2V 1W Zener
L1=20 turns 0.6mm on R25
Q1-2=BC547
Q3=2N5460 fet
Q4-5=MPSA93
Q6-8-11=BC182
Q7-10=MPSA43
Q9=BC212
Q12=2SK134 or2SK135
Q13=2SJ49 or 2SJ50
100WMOS管功率放大電路
全對稱MOSFETOCL功率放大器電路圖
全對稱OCL電路是目前比較完善的功率放大器。它把差動輸入放大、激勵(lì)、功率輸出等各部分電
路都接成互補(bǔ)對稱形式，充分發(fā)揮了PNP型和NPN型晶體管能互補(bǔ)工作的優(yōu)點(diǎn)。因而全稱OCL電路比普通OCL電路穩(wěn)定性更好。保真度更佳。現(xiàn)介紹一種采用具有“膽”機(jī)音色的對稱互補(bǔ)MOSFET管2SK405和2SJ115擔(dān)任輸出功放電路。
MOS管做功放的優(yōu)點(diǎn)
1、MOS管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。
2、中音厚，沒有三極管那么大的交越失真。
電流推進(jìn)級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會產(chǎn)生開關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級也一直處于放大區(qū)，因而輸出級同樣不會產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。
3、MOS管的線性比晶體管好。
MOS管做功放的缺點(diǎn)
1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞，MOSFET場效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無法外電路維護(hù)），開關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。MOS管功放電路。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管。
2、開啟電壓太高。
3、偏流開很大，還是有一定的交越失真，沒交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。
4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來說要好配對一點(diǎn)。
5、MOS管的低頻下太硬，用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個(gè)簡單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。
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